SSM6J212FE,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

ES6-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

94 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

14.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.6 mm

系列：

SSM6J212

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

1.2 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.001270 oz

Tags

SSM6J212, SSM6J21, SSM6J2, SSM6J, SSM6, SSM