NTD4960N-35G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

11.1 A

Rds On - 漏源电阻：

6.1 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

11 nC

最高工作温度：

+ 85 C

Pd - 功耗：

1.68 W

配置：

单身的

打包：

管子

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

48 S

秋季时间：

4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD4960, NTD496, NTD49, NTD4, NTD