SISS05DN-T1-GE3

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerPAK-1212-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

108 A

Rds On - 漏源电阻：

5.8 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

- 20 V, + 16 V

Qg - 门电荷：

76 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

65.7 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

沟槽场效应晶体管

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

秋季时间：

13 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

47 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns

Tags

SISS0, SISS, SIS