IRF610SPBF

产品属性

属性值

制造商：

威世

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

200 V

Id - 连续漏极电流：

3.3 A

Rds On - 漏源电阻：

1.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

8.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

36 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

国际无线电联合会

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

威世 / Siliconix

正向跨导 - 最小值：

0.8 S

秋季时间：

8.9 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

17 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14 ns

典型的开启延迟时间：

8.2 ns

单位重量：

0.050717 oz

Tags

IRF610S, IRF610, IRF61, IRF6, IRF