TSM6502CR RLG

产品属性

属性值

制造商：

台积电

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PDFN56-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

5.4 A, 4 A

Rds On - 漏源电阻：

28 mOhms, 73 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

10 V, - 4.5 V

Qg - 门电荷：

20.8 nC, 9.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

40 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

台积电

秋季时间：

18 ns, 44 ns

湿气敏感：

是的

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns, 28 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

18 ns, 44 ns

典型的开启延迟时间：

7.4 ns, 4 ns

Tags

TSM650, TSM65, TSM6, TSM