NTND31225CZTAG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

XLLGA-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

220 mA, 127 mA

Rds On - 漏源电阻：

800 mOhms, 2.1 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV, 1 V

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

-

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

125 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

NTND31225CZ

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

0.48 S, 0.35 S

秋季时间：

80 ns, 171 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25.5 ns, 71 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

142 ns, 280 ns

典型的开启延迟时间：

16.5 ns, 37 ns

Tags

NTND, NTN