C3M0120090J

产品属性

属性值

制造商：

克里公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

碳化硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-7

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

900 V

Id - 连续漏极电流：

22 A

Rds On - 漏源电阻：

170 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.8 V

Vgs - 栅源电压：

18 V, - 8 V

Qg - 门电荷：

17.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

83 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

产品：

功率MOSFET

类型：

碳化硅MOSFET

品牌：

Wolfspeed / 克里

正向跨导 - 最小值：

6.7 S

秋季时间：

5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

9 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

15 ns

典型的开启延迟时间：

12.5 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

C3M01200, C3M01, C3M0, C3M