IRF7807VD2PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

8.3 A

Rds On - 漏源电阻：

25 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

9.5 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

FETKY MOSFET 和肖特基二极管

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌/红外

秋季时间：

2.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

1.2 ns

出厂包装数量：

95

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

11 ns

典型的开启延迟时间：

6.3 ns

第 # 部分别名：

SP001575258

单位重量：

0.019048 oz

Tags

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