NDS8852H

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

4.3 A

Rds On - 漏源电阻：

80 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2.5 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

宽度：

3.9 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

秋季时间：

5 ns, 8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

13 ns, 21 ns

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21 ns, 21 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns, 9 ns

单位重量：

0.006596 oz

Tags

NDS885, NDS88, NDS8, NDS