TK17A80W,S4X

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

17 A

Rds On - 漏源电阻：

250 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

32 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

45 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

DTMOSIV

打包：

管子

高度：

15 mm

长度：

10 mm

系列：

TK17A80W

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

4.5 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

24 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

58 ns

单位重量：

0.068784 oz

Tags

TK17A8, TK17A, TK17, TK1