NTR4003NT3G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

560 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

4 V

Qg - 门电荷：

1.15 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

690 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.94 mm

长度：

2.9 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTR4003N

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

FET - MOSFET - N 沟道

宽度：

1.3 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

0.33 S

秋季时间：

64.2 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

47.9 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

65.1 ns

典型的开启延迟时间：

16.7 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

NTR4003NT, NTR400, NTR40, NTR4, NTR