VT6K1T2CR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

VMT-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

3.5 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

300 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

VT6K1

晶体管类型：

2 N-Channel MOSFET

品牌：

罗姆半导体

秋季时间：

38 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4 ns

出厂包装数量：

8000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

20 ns

典型的开启延迟时间：

5 ns

第 # 部分别名：

VT6K1

Tags

VT6K, VT6