TPN4R712MD,L1Q

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSON Advance-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

36 A

Rds On - 漏源电阻：

4.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

65 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

42 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.85 mm

长度：

3.1 mm

系列：

TPN4R712MD

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3.1 mm

品牌：

东芝

秋季时间：

145 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11 ns

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

443 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

单位重量：

0.000705 oz

Tags

TPN4R712M, TPN4R7, TPN4, TPN