RDX100N60FU6

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220FP-3

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

600 V

Id - 连续漏极电流：

10 A

Rds On - 漏源电阻：

480 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Qg - 门电荷：

45 nC

Pd - 功耗：

45 W

打包：

大部分

品牌：

罗姆半导体

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

RDX100N60

单位重量：

0.211644 oz

Tags

RDX100N60F, RDX100N6, RDX10, RDX1, RDX