2N5629 PBFREE

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-3-2

晶体管极性：

NPN

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

100 V

集电极-基极电压 VCBO：

100 V

发射极基极电压 VEBO：

7 V

集电极-发射极饱和电压：

2 V

增益带宽积 fT：

1 MHz

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

系列：

2N56

直流电流增益 hFE 最大值：

100 at 8 A, 2 V

打包：

管子

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

16 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

25 at 8 A, 2 V

Pd - 功耗：

200 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

20

子类别：

晶体管

Tags

2N5629, 2N562, 2N56, 2N5