IPG20N06S2L-35

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TDSON-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

55 V

Id - 连续漏极电流：

20 A

Rds On - 漏源电阻：

35 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

65 W

配置：

双重的

资质：

AEC-Q101

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

1.27 mm

长度：

5.9 mm

晶体管类型：

2 N-Channel

宽度：

5.15 mm

品牌：

英飞凌科技

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

5000

子类别：

MOSFET

第 # 部分别名：

IPG20N06S2L35ATMA1 IPG2N6S2L35XT SP000613718

Tags

IPG20N06S2, IPG20N06, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG