IXFA4N100P

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-263-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1 kV

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

3.3 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

6 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

26 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

150 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

4.83 mm

长度：

9.65 mm

系列：

IXFA4N100

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

极性 HiPerFET 功率 MOSFET

宽度：

10.41 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

1.8 S

秋季时间：

50 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

36 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

37 ns

典型的开启延迟时间：

24 ns

单位重量：

0.056438 oz

Tags

IXFA4N100P, IXFA4N1, IXFA4, IXFA, IXF