IXFZ520N075T2

产品属性

属性值

制造商：

IXYS

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DE-475-6

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

75 V

Id - 连续漏极电流：

465 A

Rds On - 漏源电阻：

1.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

545 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

600 W

频道模式：

增强

商品名：

高功率场效应晶体管

打包：

管子

高度：

3.18 mm

长度：

23.11 mm

系列：

IXFZ520N075

类型：

TrenchT2 GigaMOS HiperFET Power MOSFET

宽度：

21.08 mm

品牌：

IXYS

正向跨导 - 最小值：

95 S

秋季时间：

35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

36 ns

出厂包装数量：

20

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

80 ns

典型的开启延迟时间：

48 ns

Tags

IXFZ, IXF