BSS670S2LH6433XTMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

55 V

Id - 连续漏极电流：

540 mA

Rds On - 漏源电阻：

650 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

2.26 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

360 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

0.6 S

秋季时间：

24 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

25 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

21 ns

典型的开启延迟时间：

9 ns

第 # 部分别名：

BSS670S2L H6433 SP001341854

单位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS670S2LH, BSS670, BSS67, BSS6, BSS