IPP041N12N3 G

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

120 V

Id - 连续漏极电流：

120 A

Rds On - 漏源电阻：

3.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

211 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

管子

高度：

15.65 mm

长度：

10 mm

系列：

OptiMOS 3

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

OptiMOS 3 Power-Transistor

宽度：

4.4 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

83 S

秋季时间：

21 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

52 ns

出厂包装数量：

500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

70 ns

典型的开启延迟时间：

35 ns

第 # 部分别名：

IPP041N12N3GXKSA1 IPP41N12N3GXK SP000652746

单位重量：

0.211644 oz

Tags

IPP041N12N3, IPP041N1, IPP041, IPP04, IPP0, IPP