FDN308P_F154

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SSOT-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

1.5 A

Rds On - 漏源电阻：

136 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

3.8 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

打包：

卷轴

高度：

1.12 mm

长度：

2.9 mm

系列：

FDN308P

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

1.4 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

正向跨导 - 最小值：

12 S

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

10 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

单位重量：

0.001058 oz

Tags

FDN308P, FDN308, FDN30, FDN3, FDN