NSS40300DDR2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOIC-Narrow-8

晶体管极性：

PNP

配置：

双重的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 40 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 40 V

发射极基极电压 VEBO：

- 7 V

集电极-发射极饱和电压：

0.135 V

最大直流集电极电流：

- 6 A

增益带宽积 fT：

100 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

NSS40300DD

直流电流增益 hFE 最大值：

250 at 10 mA, 2 V

高度：

1.5 mm

长度：

5 mm

打包：

卷轴

宽度：

4 mm

品牌：

安森美半导体

连续集电极电流：

- 3 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

250

Pd - 功耗：

783 mW

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

2500

子类别：

晶体管

单位重量：

0.005044 oz

Tags

NSS40300, NSS403, NSS40, NSS4, NSS