2N5115e3

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

场效应管

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-18-3

晶体管极性：

P-通道

配置：

单身的

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Vgs - 栅源击穿电压：

30 V

Vgs=0 时的漏源电流：

- 15 mA to - 60 mA

Rds On - 漏源电阻：

100 Ohms

Pd - 功耗：

500 mW

最低工作温度：

- 65 C

最高工作温度：

+ 200 C

打包：

大部分

品牌：

微芯片/Microsemi

栅源截止电压：

3 V to 6 V

最大漏栅电压：

30 V

产品类别：

JFET

出厂包装数量：

1

子类别：

晶体管

Tags

2N5115, 2N511, 2N51, 2N5