2N1131A

产品属性

属性值

制造商：

中央半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-39-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

40 V

集电极-基极电压 VCBO：

60 V

发射极基极电压 VEBO：

5 V

集电极-发射极饱和电压：

1.5 V

增益带宽积 fT：

90 MHz

系列：

2N657

打包：

大部分

品牌：

中央半导体

连续集电极电流：

150 mA

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

20 at 150 mA, 10 V

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

500

子类别：

晶体管

第 # 部分别名：

2N1131A PBFREE

Tags

2N1131, 2N113, 2N11, 2N1