IRF5803D2PBF

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SO-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

3.4 A

Rds On - 漏源电阻：

190 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

25 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

高度：

1.75 mm

长度：

4.9 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

FETKY MOSFET 和肖特基二极管

宽度：

3.9 mm

品牌：

英飞凌/红外

秋季时间：

50 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

550 ns

出厂包装数量：

95

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

88 ns

典型的开启延迟时间：

43 ns

第 # 部分别名：

SP001554058

单位重量：

0.019048 oz

Tags

IRF5803D2, IRF5803D, IRF5803, IRF580, IRF58, IRF5, IRF