DMG6602SVT-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOT-26-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

3.4 A, 2.8 A

Rds On - 漏源电阻：

100 mOhms, 140 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

840 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMG6602

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

4 S

秋季时间：

3 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

5 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

13 ns

典型的开启延迟时间：

3 ns

Tags

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