NDFPD1N150CG

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220F-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

1.5 kV

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

150 Ohms

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

4.2 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

20 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

管子

系列：

NDFPD1N150C

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

280 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

13 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

43 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

单位重量：

0.211644 oz

Tags

NDFP, NDF