RTQ020N05TR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-457T-6

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

45 V

Id - 连续漏极电流：

2 A

Rds On - 漏源电阻：

140 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

12 V

Qg - 门电荷：

2.3 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

RTQ020N05

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

1.6 S

秋季时间：

10 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

14 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

16 ns

典型的开启延迟时间：

8 ns

第 # 部分别名：

RTQ020N05

Tags

RTQ020N05, RTQ020N0, RTQ020, RTQ02, RTQ0, RTQ