NTGD3148NT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TSOP-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

3.5 A

Rds On - 漏源电阻：

70 mOhms, 70 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

500 mV

Vgs - 栅源电压：

4.5 V

Qg - 门电荷：

3.8 nC, 3.8 nC

最低工作温度：

- 50 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.1 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.94 mm

长度：

3 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

功率沟槽 MOSFET

宽度：

1.5 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

6.2 S, 6.2 S

秋季时间：

1.6 ns, 1.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

11.2 ns, 11.2 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

12.8 ns, 12.8 ns

典型的开启延迟时间：

7.4 ns, 7.4 ns

单位重量：

0.000705 oz

Tags

NTGD314, NTGD3, NTGD, NTG