APTGTQ200DA65T3G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

IGBT 模块

技术：

-

产品：

IGBT 硅模块

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.65 V

25 C 时的连续集电极电流：

200 A

栅极-发射极漏电流：

480 nA

Pd - 功耗：

483 W

包装/案例：

SP3F

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 125 C

打包：

管子

品牌：

微芯片/Microsemi

安装方式：

底盘安装

最大栅极发射极电压：

20 V

产品类别：

IGBT 模块

出厂包装数量：

1

子类别：

IGBT

单位重量：

3.880136 oz

Tags

APTGTQ2, APTGTQ, APTGT, APTG, APT