SSM6L61NU,LF

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

UDFN-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N沟道，P沟道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

4 A

Rds On - 漏源电阻：

108 mOhms, 157 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

400 mV, 500 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V, 12 V

Qg - 门电荷：

3.6 nC, 6.74 nC

最低工作温度：

-

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.75 mm

长度：

2 mm

产品：

MOSFET

系列：

UMOSIX

晶体管类型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

类型：

硅 P-/N 沟道 MOS

宽度：

2 mm

品牌：

东芝

正向跨导 - 最小值：

12 S, 9.5 S

秋季时间：

-

产品类别：

MOSFET

上升时间：

-

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

45 ns, 54 ns

典型的开启延迟时间：

25 ns, 21 ns

Tags

SSM6L6, SSM6L, SSM6, SSM