NTD5862N-1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

N

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

98 A

Rds On - 漏源电阻：

4.4 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

115 W

配置：

单身的

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

60 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

70 ns

出厂包装数量：

75

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

单位重量：

0.139332 oz

Tags

NTD5862, NTD586, NTD58, NTD5, NTD