2N7002H6327XT

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

300 mA

Rds On - 漏源电阻：

1.6 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

600 pC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

500 mW (1/2 W)

配置：

单身的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

高度：

1.1 mm

长度：

2.9 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

1.3 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

200 mS

秋季时间：

3.1 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.3 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

5.5 ns

典型的开启延迟时间：

3 ns

第 # 部分别名：

2N7002 2N7002H6327XTSA2 H6327 SP000929182

单位重量：

0.000282 oz

Tags

2N7002H6, 2N7002H, 2N7002, 2N700, 2N70, 2N7