KSB1366GTU

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

E

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220F-3

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

- 60 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 60 V

发射极基极电压 VEBO：

- 7 V

集电极-发射极饱和电压：

- 0.5 V

最大直流集电极电流：

3 A

增益带宽积 fT：

9 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

KSB1366

直流电流增益 hFE 最大值：

320

高度：

9.19 mm

长度：

10.16 mm

打包：

管子

宽度：

4.7 mm

品牌：

安森美半导体/飞兆半导体

连续集电极电流：

- 3 A

Pd - 功耗：

25 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.080072 oz

Tags

KSB1366G, KSB136, KSB13, KSB1, KSB