TK12E80W,S1X

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-220-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

800 V

Id - 连续漏极电流：

11.5 A

Rds On - 漏源电阻：

380 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

23 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

165 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

DTMOSIV

系列：

TK12E80W

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

东芝

秋季时间：

11 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 ns

出厂包装数量：

50

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

130 ns

典型的开启延迟时间：

70 ns

单位重量：

0.063493 oz

Tags

TK12E8, TK12E, TK12, TK1