CSD86360Q5D

产品属性

属性值

制造商：

德州仪器

产品分类：

MOSFET

RoHS：

E

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

LSON-CLIP-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

25 V

Id - 连续漏极电流：

50 A

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V, 750 mV

Vgs - 栅源电压：

8 V

Qg - 门电荷：

9.7 nC, 23 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

13 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

商品名：

场效应管

打包：

卷轴

高度：

1.5 mm

长度：

6 mm

系列：

CSD86360Q5D

晶体管类型：

2 N-Channel

类型：

同步降压 MOSFET 驱动器

宽度：

5 mm

品牌：

德州仪器

正向跨导 - 最小值：

113 S, 169 S

秋季时间：

4.3 ns, 6.6 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

20.4 ns, 14.8 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14.5 ns, 29.3 ns

典型的开启延迟时间：

8.4 ns, 9.5 ns

单位重量：

0.005997 oz

Tags

CSD86, CSD8, CSD