DMN63D8LW-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-323-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

380 mA

Rds On - 漏源电阻：

2.8 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

800 mV

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

0.9 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

420 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

DMN63

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

正向跨导 - 最小值：

80 mS

秋季时间：

16.7 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

3.9 ns

出厂包装数量：

10000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

11.4 ns

典型的开启延迟时间：

2.3 ns

单位重量：

0.000176 oz

Tags

DMN63D8, DMN63D, DMN63, DMN6, DMN