TP2635N3-G

产品属性

属性值

制造商：

微芯片

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-92-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

350 V

Id - 连续漏极电流：

180 mA

Rds On - 漏源电阻：

15 Ohms

Vgs - 栅源电压：

20 V

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

大部分

高度：

5.33 mm

长度：

5.21 mm

晶体管类型：

1 P-Channel

类型：

场效应管

宽度：

4.19 mm

品牌：

微芯科技

秋季时间：

40 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

15 ns

出厂包装数量：

1000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

单位重量：

0.016000 oz

Tags

TP2635N3-G, TP2635N, TP263, TP26, TP2