IPD082N10N3GBTMA1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

TO-252-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

100 V

Id - 连续漏极电流：

80 A

Rds On - 漏源电阻：

7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

55 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

商品名：

优化MOS

打包：

卷轴

高度：

2.3 mm

长度：

6.5 mm

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

6.22 mm

品牌：

英飞凌科技

正向跨导 - 最小值：

45 S

秋季时间：

8 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

42 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

第 # 部分别名：

G IPD082N10N3 IPD082N10N3GXT SP000485986

单位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD082N10N3G, IPD082, IPD08, IPD0, IPD