RF4E075ATTCR

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

HUML2020L-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

7.5 A

Rds On - 漏源电阻：

16.7 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

2.5 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

22 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

系列：

RF4E075AT

晶体管类型：

1 P-Channel

品牌：

罗姆半导体

正向跨导 - 最小值：

6.5 S

秋季时间：

35 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

18 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

60 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns

第 # 部分别名：

RF4E075AT

Tags

RF4E075, RF4E07, RF4E0, RF4E, RF4