NTTS2P03R2G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

Micro-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

2.48 A

Rds On - 漏源电阻：

85 mOhms

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

3.2 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

780 mW

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.95 mm

长度：

3 mm

产品：

MOSFET 小信号

晶体管类型：

1 P-Channel

宽度：

3 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

3.1 S

秋季时间：

40 ns, 20 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

40 ns, 20 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

30 ns, 40 ns

典型的开启延迟时间：

16 ns, 10 ns

Tags

NTTS2P03, NTTS2P, NTTS2, NTTS, NTT