NVMFD5852NLWFT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

DFN-5x6-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

40 V

Id - 连续漏极电流：

44 A

Rds On - 漏源电阻：

5.3 mOhms, 5.3 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1.4 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

36 nC, 36 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

27 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

系列：

NVMFD5852NL

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

24 S, 24 S

秋季时间：

5 ns, 5 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

8 ns, 8 ns

出厂包装数量：

1500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

27 ns, 27 ns

典型的开启延迟时间：

12 ns, 12 ns

Tags

NVMFD5852, NVMFD585, NVMFD58, NVMFD, NVMF, NVM