2SB1122S-TD-E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

双极晶体管 - BJT

RoHS：

Y

安装方式：

贴片/贴片

晶体管极性：

PNP

配置：

单身的

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

50 V

集电极-基极电压 VCBO：

- 60 V

发射极基极电压 VEBO：

- 5 V

集电极-发射极饱和电压：

- 0.18 V

最大直流集电极电流：

- 2 A

增益带宽积 fT：

150 MHz

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

系列：

2SB1122

直流电流增益 hFE 最大值：

560

打包：

卷轴

品牌：

安森美半导体

连续集电极电流：

- 1 A

DC 集电极/基极增益 hfe 最小值：

140

Pd - 功耗：

1.3 W

产品类别：

BJT - 双极晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

晶体管

单位重量：

0.001806 oz

Tags

2SB1122S-TD, 2SB1122S, 2SB1122, 2SB112, 2SB11, 2SB1, 2SB