DMNH6021SPDQ-13

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerDI5060-C-8

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

60 V

Id - 连续漏极电流：

8.2 A

Rds On - 漏源电阻：

15 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

20 V

Qg - 门电荷：

20.1 nC, 20.1 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

2.8 W

配置：

双重的

频道模式：

增强

资质：

AEC-Q101

打包：

卷轴

晶体管类型：

2 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

5.4 ns, 5.4 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

6 ns, 6 ns

出厂包装数量：

2500

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

14.2 ns, 14.2 ns

典型的开启延迟时间：

4.4 ns, 4.4 ns

单位重量：

0.004092 oz

Tags

DMNH6021SPD, DMNH6021SP, DMNH6021, DMNH602, DMNH6, DMNH, DMN