TK35N65W,S1F

产品属性

属性值

制造商：

东芝

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

通孔

包装/案例：

TO-247-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

650 V

Id - 连续漏极电流：

35 A

Rds On - 漏源电阻：

68 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

3.5 V

Vgs - 栅源电压：

30 V

Qg - 门电荷：

100 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

270 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

高度：

20.95 mm

长度：

15.94 mm

系列：

TK35N65W

晶体管类型：

1 N-Channel

宽度：

5.02 mm

品牌：

东芝

产品类别：

MOSFET

出厂包装数量：

30

子类别：

MOSFET

单位重量：

1.340411 oz

Tags

TK35N, TK35, TK3