5LN01C-TB-E

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-23-3

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

50 V

Id - 连续漏极电流：

100 mA

Rds On - 漏源电阻：

7.8 Ohms

Vgs - 栅源电压：

4 V

Qg - 门电荷：

1.57 nC

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

0.25 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

产品：

MOSFET

系列：

5LN01C

晶体管类型：

1 N-Channel

类型：

N沟道硅MOSFET

品牌：

安森美半导体

秋季时间：

105 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

42 ns

出厂包装数量：

3000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

190 ns

典型的开启延迟时间：

18 ns

单位重量：

0.000282 oz

Tags

5LN01C-TB-E, 5LN01C-T, 5LN01C, 5LN01, 5LN