NTZD3152PT1G

产品属性

属性值

制造商：

安森美半导体

产品分类：

MOSFET

RoHS：

Y

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

SOT-563-6

通道数：

2 Channel

晶体管极性：

P-通道

Vds - 漏源击穿电压：

20 V

Id - 连续漏极电流：

430 mA

Rds On - 漏源电阻：

2 Ohms, 2 Ohms

Vgs th - 栅源阈值电压：

450 mV

Vgs - 栅源电压：

1.8 V

Qg - 门电荷：

1.7 nC, 1.7 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

280 mW

配置：

双重的

频道模式：

增强

打包：

卷轴

高度：

0.55 mm

长度：

1.6 mm

产品：

MOSFET 小信号

系列：

NTZD3152P

晶体管类型：

2 P-Channel

宽度：

1.2 mm

品牌：

安森美半导体

正向跨导 - 最小值：

1 S, 1 S

秋季时间：

19 ns, 19 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

12 ns, 12 ns

出厂包装数量：

4000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

35 ns, 35 ns

典型的开启延迟时间：

10 ns, 10 ns

单位重量：

0.000106 oz

Tags

NTZD3152PT1, NTZD3152PT, NTZD3152, NTZD3, NTZD, NTZ