RGT8NS65DGTL

产品属性

属性值

制造商：

罗姆半导体

产品分类：

IGBT晶体管

RoHS：

Y

技术：

硅

包装/案例：

TO-263-3

安装方式：

贴片/贴片

集电极-发射极电压 VCEO 最大值：

650 V

集电极-发射极饱和电压：

1.65 V

最大栅极发射极电压：

30 V

25 C 时的连续集电极电流：

8 A

Pd - 功耗：

65 W

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 175 C

系列：

RGT8NS65D

打包：

卷轴

连续集电极电流 Ic 最大值：

8 A

工作温度范围：

- 40 C to + 175 C

品牌：

罗姆半导体

连续集电极电流：

4 A

栅极-发射极漏电流：

+/- 200 nA

产品类别：

IGBT晶体管

出厂包装数量：

1000

子类别：

IGBT

第 # 部分别名：

RGT8NS65D(LPDS)

单位重量：

0.068654 oz

Tags

RGT8N, RGT8, RGT