PTFA260451E V1

产品属性

属性值

制造商：

英飞凌

产品分类：

射频 MOSFET 晶体管

RoHS：

Y

晶体管极性：

N通道

技术：

硅

Vds - 漏源击穿电压：

65 V

Rds On - 漏源电阻：

160 mOhms

最低工作温度：

- 40 C

最高工作温度：

+ 200 C

安装方式：

贴片/贴片

打包：

托盘

配置：

单身的

类型：

射频功率MOSFET

品牌：

英飞凌科技

频道模式：

增强

Pd - 功耗：

199 W

产品类别：

射频 MOSFET 晶体管

出厂包装数量：

1

子类别：

MOSFET

Vgs - 栅源电压：

- 0.5 V to 12 V

第 # 部分别名：

FA260451EV1XP

Tags

PTFA2604, PTFA260, PTFA26, PTFA2, PTFA, PTF