DMN3009LFVW-7

产品属性

属性值

制造商：

二极管公司

产品分类：

MOSFET

技术：

硅

安装方式：

贴片/贴片

包装/案例：

PowerDI3333-8

通道数：

1 Channel

晶体管极性：

N通道

Vds - 漏源击穿电压：

30 V

Id - 连续漏极电流：

60 A

Rds On - 漏源电阻：

3.5 mOhms

Vgs th - 栅源阈值电压：

1 V

Vgs - 栅源电压：

10 V

Qg - 门电荷：

42 nC

最低工作温度：

- 55 C

最高工作温度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

单身的

频道模式：

增强

晶体管类型：

1 N-Channel

品牌：

二极管公司

秋季时间：

15 ns

产品类别：

MOSFET

上升时间：

4.1 ns

出厂包装数量：

2000

子类别：

MOSFET

典型关断延迟时间：

31 ns

典型的开启延迟时间：

3.9 ns

Tags

DMN3009L, DMN3009, DMN300, DMN30, DMN3, DMN